Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

WO2009034605 Art A1 19. März 2009

Anmelder: Renesas Technology Corp. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009034605
Aktenzeichen: EP07828213
Anmeldetag: 10. September 2007
Veröffentlichung: 19. März 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8247H01L27/115H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Technology Corp.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Technology

Renesas Technology war ein japanischer Halbleiterhersteller und Vorgängerunternehmen der heutigen Renesas Electronics. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Datenspeicher- und Schaltungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2009.

421 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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