Vanadium oxide thin film pattern and method of fabricating the same

WO2009035007 Art A1 19. März 2009

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009035007
Aktenzeichen: EP08830558
Anmeldetag: 10. September 2008
Veröffentlichung: 19. März 2009
Rechtsraum: WO
IPC: C01G31/02C03C17/42C23C26/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Metallurgie & Oberflächentechnik

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