Semiconductor constructions, semiconductor processing methods, and methods of forming flash memory structures
WO2009035798
Art A1
19. März 2009
Anmelder: Micron Technology, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009035798
- Aktenzeichen
- EP08797404
- Anmeldetag
- 7. August 2008
- Veröffentlichung
- 19. März 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/027
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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