High density 45nm sram using small-signal non-strobed regenerative sensing

WO2009035835 Art A1 19. März 2009

Anmelder: Massachusetts Institute of Technology 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009035835
Aktenzeichen: EP08830811
Anmeldetag: 21. August 2008
Veröffentlichung: 19. März 2009
Rechtsraum: WO
IPC: G11C7/06G11C11/419

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Massachusetts Institute of Technology
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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