Enhancement mode iii-nitride semiconductor device with reduced electric field between the gate and the drain

WO2009038809 Art A1 26. März 2009

Anmelder: International Rectifier Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009038809
Aktenzeichen: EP08831895
Anmeldetag: 22. September 2008
Veröffentlichung: 26. März 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/12

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: International Rectifier Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 International Rectifier

International Rectifier war ein US-amerikanischer Hersteller von Leistungshalbleitern, der 2015 von Infineon Technologies übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Energie- und Schaltungstechnik, ergänzt um Steuerungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2015.

427 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von