Silicon carbide doped oxide hardmask for single and dual damascene integration

WO2009039139 Art A1 26. März 2009

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009039139
Aktenzeichen: EP08831820
Anmeldetag: 17. September 2008
Veröffentlichung: 26. März 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L21/82

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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