Sensors using aigan/gan high electron mobility transistors

WO2009039298 Art A2 26. März 2009

Anmelder: University of Florida Research Foundation, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009039298
Aktenzeichen: EP08832444
Anmeldetag: 18. September 2008
Veröffentlichung: 26. März 2009
Rechtsraum: WO
IPC: G01N27/30G01N27/00H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: University of Florida Research Foundation, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of Florida Research Foundation

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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