Gallium nitride bulk crystals and their growth method

WO2009039398 Art A1 26. März 2009

Anmelder: The Regents of the University of California, Japan Science and Technology Agency 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009039398
Aktenzeichen: EP08832317
Anmeldetag: 19. September 2008
Veröffentlichung: 26. März 2009
Rechtsraum: WO
IPC: C30B23/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: The Regents of the University of California
Japan Science and Technology Agency
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of California

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🇯🇵 Japan Science and Technology Agency

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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