Method for sr-ti-o-base film formation and recording medium

WO2009041219 Art A1 2. April 2009

Anmelder: Tokyo Electron Limited, Elpida Memory, Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009041219
Aktenzeichen: EP08834052
Anmeldetag: 2. September 2008
Veröffentlichung: 2. April 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316C23C16/40H01L21/8242H01L27/108

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Tokyo Electron Limited
Elpida Memory, Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von