Thin nickel film, method for formation of the thin nickel film, ferromagnetic nano-junction element, process for producing the ferromagnetic nano-junction element, thin metallic wire, and process for producing the thin metallic wire
WO2009041239
Art A1
2. April 2009
Anmelder: National University Corporation Hokkaido University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009041239
- Aktenzeichen
- EP08833116
- Anmeldetag
- 28. August 2008
- Veröffentlichung
- 2. April 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01F10/14C23C14/14C23C14/20H01F10/28H01F41/20H01L43/08H01L43/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National University Corporation Hokkaido University
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National University Corporation Hokkaido University
Staatliche japanische Universität in Sapporo mit breiter Forschung, u.a. in Agrarwissenschaften, Ingenieurwesen und Materialwissenschaften.
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