Method and apparatus for manufacturing semiconductor device and resist material

WO2009041306 Art A1 2. April 2009

Anmelder: Renesas Technology Corp. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009041306
Aktenzeichen: EP08834231
Anmeldetag: 16. September 2008
Veröffentlichung: 2. April 2009
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/38G03F7/11H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Technology Corp.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Technology

Renesas Technology war ein japanischer Halbleiterhersteller und Vorgängerunternehmen der heutigen Renesas Electronics. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Datenspeicher- und Schaltungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2009.

421 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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