Dmos transistor and method for manufacturing the same
WO2009041741
Art A1
2. April 2009
Anmelder: SANYO Electric Co., Ltd., Sanyo Semiconductor Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009041741
- Aktenzeichen
- EP08833776
- Anmeldetag
- 26. September 2008
- Veröffentlichung
- 2. April 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/336H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- SANYO Electric Co., Ltd.
Sanyo Semiconductor Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sanyo Electric
Ehemaliger japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Osaka, seit 2011 Teil des Panasonic-Konzerns. Sanyo war aktiv in Unterhaltungselektronik, Halbleitern, Batterietechnik und Solartechnologie.
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