Methods of producing high uniformity in thin film transistor devices fabricated on laterally crystallized thin films

WO2009042784 Art A1 2. April 2009

Anmelder: The Trustees of Columbia University in the City of New York 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009042784
Aktenzeichen: EP08833595
Anmeldetag: 25. September 2008
Veröffentlichung: 2. April 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Trustees of Columbia University in the City of New York
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Columbia University

Private Forschungsuniversität in New York City, gegründet 1754, mit umfangreicher Patentaktivität in Medizin, Biotechnologie und Ingenieurwissenschaften.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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