Methods for the deposition of ternary oxide gate dielectrics and structures formed thereby

WO2009042982 Art A1 2. April 2009

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009042982
Aktenzeichen: EP08833667
Anmeldetag: 28. September 2008
Veröffentlichung: 2. April 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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