Silicon etching liquid and etching method
WO2009044647
Art A1
9. April 2009
Anmelder: Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009044647
- Aktenzeichen
- EP08835802
- Anmeldetag
- 22. September 2008
- Veröffentlichung
- 9. April 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/308
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Gas Chemical Company
Japanisches Chemieunternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Fokus auf technische Kunststoffe, Methanol und Spezialchemikalien. Der Konzern beliefert unter anderem die Elektronik- und Verpackungsindustrie.
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