Composition for forming resist underlayer film, process for producing semiconductor device with the same, and additive for composition for forming resist underlayer film

WO2009044742 Art A1 9. April 2009

Anmelder: Nissan Chemical Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009044742
Aktenzeichen: EP08835019
Anmeldetag: 30. September 2008
Veröffentlichung: 9. April 2009
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Nissan Chemical Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissan Chemical Corporation

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, das agrochemische Wirkstoffe, elektronische Materialien sowie Feinchemikalien für die Halbleiterindustrie herstellt. Das Unternehmen wurde 1887 gegründet und hieß bis 2015 Nissan Chemical Industries.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

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