Integrated Thermally Compensated Ph Egfet-Flow Rate Sensor

WO2009045090 Art A2 9. April 2009

Anmelder: Mimos Berhad 🇲🇾

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009045090
Aktenzeichen: EP08836032
Anmeldetag: 29. September 2008
Veröffentlichung: 9. April 2009
Rechtsraum: WO
IPC: G01F1/68

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Mimos Berhad
Land: 🇲🇾 Malaysia

🇲🇾 Mimos Berhad

Malaysisches staatliches Forschungsinstitut für Informations- und Kommunikationstechnologie mit Sitz in Kuala Lumpur. Die Patente decken Halbleitertechnik, Mikroelektronik und IT-Sicherheit ab.

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Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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