A Vertical Thin Polysilicon Substrate Isfet

WO2009045091 Art A2 9. April 2009

Anmelder: Mimos Berhad 🇲🇾

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009045091
Aktenzeichen: EP08835719
Anmeldetag: 29. September 2008
Veröffentlichung: 9. April 2009
Rechtsraum: WO
IPC: G01N27/333G01N27/30

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Mimos Berhad
Land: 🇲🇾 Malaysia

🇲🇾 Mimos Berhad

Malaysisches staatliches Forschungsinstitut für Informations- und Kommunikationstechnologie mit Sitz in Kuala Lumpur. Die Patente decken Halbleitertechnik, Mikroelektronik und IT-Sicherheit ab.

929 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

Vertreten von