Semiconductor structure comprising an electrically conductive feature and method of forming a semiconductor structure
WO2009045362
Art A1
9. April 2009
Anmelder: Globalfoundries Inc. 🇰🇾
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009045362
- Aktenzeichen
- EP08834806
- Anmeldetag
- 29. September 2008
- Veröffentlichung
- 9. April 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/768H01L23/532
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Globalfoundries Inc.
- Land
- 🇰🇾 KY
🇰🇾
GlobalFoundries
GlobalFoundries ist ein Halbleiterhersteller, der als Auftragsfertiger (Foundry) Chips für zahlreiche Kunden produziert; die Gesellschaft ist auf den Cayman Islands registriert. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Software. Die Anmeldungen von 2000 bis 2018 betreffen unter anderem Kontaktstrukturen und Fertigungsverfahren für Halbleiterbauelemente.
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