Method of forming high-k gate electrode structures after transistor fabrication

WO2009045364 Art A1 9. April 2009

Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009045364
Aktenzeichen: EP08834930
Anmeldetag: 29. September 2008
Veröffentlichung: 9. April 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/28H01L21/8238

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Advanced Micro Devices

US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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