Reducing effects of program disturb in a memory device

WO2009046171 Art A1 9. April 2009

Anmelder: Micron Technology, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009046171
Aktenzeichen: EP08836633
Anmeldetag: 2. Oktober 2008
Veröffentlichung: 9. April 2009
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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