Compound semiconductor epitaxial wafer and process for producing the same
WO2009048056
Art A1
16. April 2009
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009048056
- Aktenzeichen
- EP08837500
- Anmeldetag
- 7. Oktober 2008
- Veröffentlichung
- 16. April 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L33/00C23C16/30C30B25/18C30B29/40H01L21/205
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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Vertreten von
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