Resistive random access memory device and method of the same
WO2009048301
Art A2
16. April 2009
Anmelder: Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009048301
- Aktenzeichen
- EP08838070
- Anmeldetag
- 10. Oktober 2008
- Veröffentlichung
- 16. April 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/115
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University
Technologietransfer- und Patentverwertungsstelle der Yonsei University in Südkorea, verwaltet Erfindungen aus der universitären Forschung.
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