Producing epitaxial layers with low basal plane dislocation concentrations

WO2009048997 Art A1 16. April 2009

Anmelder: The Government of the United States of America as represented by the Secretary of the Navy 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009048997
Aktenzeichen: EP08836996
Anmeldetag: 9. Oktober 2008
Veröffentlichung: 16. April 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/38

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Government of the United States of America as represented by the Secretary of the Navy
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 The Government of the United States of America As Represented By the Secretary of the Navy

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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