Nonvolatile semiconductor memory device

WO2009050969 Art A1 23. April 2009

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009050969
Aktenzeichen: EP08839422
Anmeldetag: 9. September 2008
Veröffentlichung: 23. April 2009
Rechtsraum: WO
IPC: G11C13/00H01L27/10H01L27/105H01L45/00H01L49/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Kabushiki Kaisha Toshiba
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.649 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen