Method of forming conformal silicon layer for recessed source-drain

WO2009051789 Art A1 23. April 2009

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009051789
Aktenzeichen: EP08839005
Anmeldetag: 17. Oktober 2008
Veröffentlichung: 23. April 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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