Semiconductor device manufacturing method

WO2009054413 Art A1 30. April 2009

Anmelder: Nissan Chemical Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009054413
Aktenzeichen: EP08841039
Anmeldetag: 22. Oktober 2008
Veröffentlichung: 30. April 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3205G03F7/40H01L21/027H01L21/28H01L21/3065

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Nissan Chemical Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissan Chemical Corporation

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, das agrochemische Wirkstoffe, elektronische Materialien sowie Feinchemikalien für die Halbleiterindustrie herstellt. Das Unternehmen wurde 1887 gegründet und hieß bis 2015 Nissan Chemical Industries.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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