Integrated circuit memory having dynamically adjustable read margin and method therefor

WO2009055163 Art A1 30. April 2009

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009055163
Aktenzeichen: EP08841113
Anmeldetag: 16. September 2008
Veröffentlichung: 30. April 2009
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/413H01L27/11

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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