High Lifetime Consumable Silicon Nitride-Silicon Dioxide Plasma Processing Components

WO2009058235 Art A2 7. Mai 2009

Anmelder: Lam Research Corporation, Ceradyne Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009058235
Aktenzeichen: EP08845913
Anmeldetag: 27. Oktober 2008
Veröffentlichung: 7. Mai 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Lam Research Corporation
Ceradyne Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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