Method for adjusting the height of a gate electrode in a semiconductor device

WO2009058242 Art A1 7. Mai 2009

Anmelder: Globalfoundries Inc. 🇰🇾

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009058242
Aktenzeichen: EP08846115
Anmeldetag: 28. Oktober 2008
Veröffentlichung: 7. Mai 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Globalfoundries Inc.
Land: 🇰🇾 KY

🇰🇾 GlobalFoundries

GlobalFoundries ist ein Halbleiterhersteller, der als Auftragsfertiger (Foundry) Chips für zahlreiche Kunden produziert; die Gesellschaft ist auf den Cayman Islands registriert. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Software. Die Anmeldungen von 2000 bis 2018 betreffen unter anderem Kontaktstrukturen und Fertigungsverfahren für Halbleiterbauelemente.

231 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von