Circuit with improved efficiency and crest factor for current fed bipolar junction transistor (bjt) based electronic ballast
WO2009058483
Art A1
7. Mai 2009
Anmelder: General Electric Company 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009058483
- Aktenzeichen
- EP08843679
- Anmeldetag
- 11. September 2008
- Veröffentlichung
- 7. Mai 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H05B41/282
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- General Electric Company
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
General Electric
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Massachusetts. Historisch aktiv in Energieerzeugung, Luftfahrttriebwerken, Medizintechnik und Industrietechnik über verschiedene Geschäftsbereiche.
15.498 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.