High-Injection Heterojunction Bipolar Transistor
WO2009058580
Art A1
7. Mai 2009
Anmelder: BAE SYSTEMS Information and Electronic Systems Integration, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009058580
- Aktenzeichen
- EP08843637
- Anmeldetag
- 16. Oktober 2008
- Veröffentlichung
- 7. Mai 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/8249
Abstract
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Anmelder
- Firma
- BAE SYSTEMS Information and Electronic Systems Integration, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc.
US-amerikanische Tochtergesellschaft von BAE Systems für elektronische Verteidigungssysteme, Sensorik und Kommunikationstechnik.
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