Cool impact-ionization transistor and method for making same

WO2009058695 Art A2 7. Mai 2009

Anmelder: Northrop Grumman Systems Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009058695
Aktenzeichen: EP08844782
Anmeldetag: 24. Oktober 2008
Veröffentlichung: 7. Mai 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/739H01L21/329H01L29/32H01L29/12

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Northrop Grumman Systems Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Northrop Grumman

US-amerikanischer Rüstungs- und Luftfahrtkonzern mit Sitz in Virginia, tätig in den Bereichen Verteidigungselektronik, Flugzeugbau, Raumfahrt und Cybersicherheit.

1.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von