Memory having circuitry controlling the voltage differential between the word line and array supply voltage
WO2009058991
Art A1
7. Mai 2009
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009058991
- Aktenzeichen
- EP08844116
- Anmeldetag
- 30. Oktober 2008
- Veröffentlichung
- 7. Mai 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C5/14G11C7/10G11C8/14G11C7/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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