Method for integrating selective ruthenium deposition into manufacturing of a semiconductior device

WO2009060320 Art A2 14. Mai 2009

Anmelder: Tokyo Electron Limited, Suzuki, Kenji 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009060320
Aktenzeichen: EP08847750
Anmeldetag: 9. September 2008
Veröffentlichung: 14. Mai 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Tokyo Electron Limited
Suzuki, Kenji
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von