Semiconductor device manufacturing method, wafer and wafer manufacturing method

WO2009060514 Art A1 14. Mai 2009

Anmelder: Fujitsu Microelectronics Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009060514
Aktenzeichen: EP07831297
Anmeldetag: 6. November 2007
Veröffentlichung: 14. Mai 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/301

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fujitsu Microelectronics Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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