Semiconductor device having through-silicon vias for high current, high frequency, and heat dissipation

WO2009061751 Art A2 14. Mai 2009

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009061751
Aktenzeichen: EP08848189
Anmeldetag: 5. November 2008
Veröffentlichung: 14. Mai 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/12H01L23/48H01L23/52H01L23/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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