Controlling a memory device responsive to degradation

WO2009061791 Art A1 14. Mai 2009

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009061791
Aktenzeichen: EP08846579
Anmeldetag: 5. November 2008
Veröffentlichung: 14. Mai 2009
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/34G11C16/16G11C16/14

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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