Plasma processing apparatus and method for plasma processing semiconductor substrate

WO2009063755 Art A1 22. Mai 2009

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009063755
Aktenzeichen: EP08848911
Anmeldetag: 30. Oktober 2008
Veröffentlichung: 22. Mai 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065C23C16/511H05H1/46

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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