Thin-film transistor and process for producing the thin-film transistor

WO2009066479 Art A1 28. Mai 2009

Anmelder: FUJI ELECTRIC HOLDINGS CO., LTD.; 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009066479
Aktenzeichen: EP08753004
Anmeldetag: 20. Mai 2008
Veröffentlichung: 28. Mai 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/205H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJI ELECTRIC HOLDINGS CO., LTD.;
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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