Mitigation of data corruption from back pattern and program disturb in a non-volatile memory device

WO2009067357 Art A1 28. Mai 2009

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009067357
Aktenzeichen: EP08851709
Anmeldetag: 11. November 2008
Veröffentlichung: 28. Mai 2009
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/34G11C16/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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