Insulating Gate Bipolar Transistor

WO2009069834 Art A1 4. Juni 2009

Anmelder: SANYO Electric Co., Ltd., Sanyo Semiconductor Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009069834
Aktenzeichen: EP08854632
Anmeldetag: 28. November 2008
Veröffentlichung: 4. Juni 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/739

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: SANYO Electric Co., Ltd.
Sanyo Semiconductor Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sanyo Electric

Ehemaliger japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Osaka, seit 2011 Teil des Panasonic-Konzerns. Sanyo war aktiv in Unterhaltungselektronik, Halbleitern, Batterietechnik und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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