Using ion implantation to control trench depth and alter optical properties of a substrate

WO2009070514 Art A1 4. Juni 2009

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009070514
Aktenzeichen: EP08854163
Anmeldetag: 23. November 2008
Veröffentlichung: 4. Juni 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H01L21/265

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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