Write circuit for providing distinctive write currents to a chalcogenide memory cell
WO2009070806
Art A1
4. Juni 2009
Anmelder: BAE SYSTEMS Information and Electronic Systems Integration, Inc., Ovonyx, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009070806
- Aktenzeichen
- EP08853359
- Anmeldetag
- 1. Dezember 2008
- Veröffentlichung
- 4. Juni 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/326
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- BAE SYSTEMS Information and Electronic Systems Integration, Inc.
Ovonyx, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc.
US-amerikanische Tochtergesellschaft von BAE Systems für elektronische Verteidigungssysteme, Sensorik und Kommunikationstechnik.
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