Resistance change element, method for manufacturing the resistance change element, and semiconductor storage device using the resistance change element

WO2009072201 Art A1 11. Juni 2009

Anmelder: Fujitsu Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009072201
Aktenzeichen: EP07850161
Anmeldetag: 6. Dezember 2007
Veröffentlichung: 11. Juni 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/10H01L45/00H01L49/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Fujitsu Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

Japanisches Unternehmen für Informationstechnik, das Computer, Server, Netzwerktechnik sowie IT-Dienstleistungen und Softwarelösungen entwickelt und anbietet.

17.891 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von