Cmos semiconductor device and method for manufacturing the same

WO2009072421 Art A1 11. Juni 2009

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009072421
Aktenzeichen: EP08858183
Anmeldetag: 26. November 2008
Veröffentlichung: 11. Juni 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8238H01L21/28H01L27/092H01L29/423H01L29/49H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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