Process for production of crystalline kln film, process for production of semiconductor device, and semiconductor device
WO2009072585
Art A1
11. Juni 2009
Anmelder: Asahi Glass Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009072585
- Aktenzeichen
- EP08858141
- Anmeldetag
- 4. Dezember 2008
- Veröffentlichung
- 11. Juni 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C14/08C23C14/34C23C14/58H01L41/18H01L41/22H03H3/02H03H9/17
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Asahi Glass Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
AGC (Asahi Glass)
Japanischer Glas- und Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, früher als Asahi Glass Company firmierend. AGC entwickelt Flachglas, elektronische Materialien, Spezialchemikalien sowie Glasprodukte für Automobil-, Bau- und Elektronikindustrie.
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