Method for manufacturing nitride semiconductor element, and nitride semiconductor element

WO2009072631 Art A1 11. Juni 2009

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009072631
Aktenzeichen: EP08856661
Anmeldetag: 5. Dezember 2008
Veröffentlichung: 11. Juni 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/00C23C16/34C30B25/04C30B29/38H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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