Gate After Diamond Transistor

WO2009073866 Art A1 11. Juni 2009

Anmelder: The Government of the United States of America as represented by the Secretary of the Navy 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009073866
Aktenzeichen: EP08856799
Anmeldetag: 5. Dezember 2008
Veröffentlichung: 11. Juni 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/0312H01L29/12H01L29/772

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Government of the United States of America as represented by the Secretary of the Navy
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 The Government of the United States of America As Represented By the Secretary of the Navy

Dieser Anmelder steht für Patente der US-Marine, angemeldet über die Regierung der Vereinigten Staaten. Das Patentportfolio deckt breit Halbleiterbauelemente, Mess- und Prüftechnik sowie Optik- und Fototechnik für militärische und maritime Forschung ab. Anmeldungen sind seit 2000 dokumentiert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von