Patterned crystalline semiconductor thin film, process for producing thin-film transistor and field effect transistor
WO2009075161
Art A1
18. Juni 2009
Anmelder: Idemitsu Kosan Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009075161
- Aktenzeichen
- EP08859555
- Anmeldetag
- 14. November 2008
- Veröffentlichung
- 18. Juni 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/36H01L21/20H01L21/336H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Idemitsu Kosan Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Idemitsu Kosan
Japanisches Energie- und Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Aktiv in Mineralölverarbeitung, petrochemischen Produkten, Schmierstoffen sowie Materialien für organische Leuchtdioden (OLED).
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